Infineon Technologies BCV29E6327HTSA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1W

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

基本部件号

BCV29

JESD-30代码

R-PSSO-F3

极性

NPN

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100μA, 100mA

转换频率

150MHz

最大击穿电压

30V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准