Infineon Technologies BCW60CE6327HTSA1
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BCW60CE6327HTSA1
1211-BCW60CE6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANSISTOR NPN AF 32V SOT-23
1最小包装量--
BCW60CE6327HTSA1详情
Infineon Technologies BCW60CE6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BCW60
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
330mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
20nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
550mV @ 1.25mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
32V
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCW60CE6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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