Infineon Technologies BCW60FNE6393HTSA1
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BCW60FNE6393HTSA1
1211-BCW60FNE6393HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANSISTOR AF SOT23
1最小包装量--
BCW60FNE6393HTSA1详情
Infineon Technologies BCW60FNE6393HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
32V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
330mW
功率 - 最大
330mW
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
550mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
380 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
20nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
550mV @ 1.25mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
32V
频率转换
250MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCW60FNE6393HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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