注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.200068
10
¥6.792517
100
¥6.408035
500
¥6.045316
1000
¥5.703128
Infineon Technologies BDP948H6433XTMA1
- 收藏
- 对比
BDP948H6433XTMA1
1211-BDP948H6433XTMA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 45V 3A 4-Pin SOT-223 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BDP948H6433XTMA1详情
Infineon Technologies BDP948H6433XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BDP948
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
5W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
85 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
45V
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BDP948H6433XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。