注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.563604
10
¥2.418494
100
¥2.281599
500
¥2.152451
1000
¥2.030614
Infineon Technologies BDP949H6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BDP949H6327XTSA1
1211-BDP949H6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

TRANS NPN 60V 3A SOT223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BDP949H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BDP949H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BDP949
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
5W
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
100MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BDP949H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。