Infineon Technologies BDP953E6327HTSA1
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BDP953E6327HTSA1
1211-BDP953E6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
1最小包装量--
BDP953E6327HTSA1详情
Infineon Technologies BDP953E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
5W
频率
100MHz
基本部件号
BDP953
功率耗散
5W
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
800mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
120V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
BDP953E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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