Infineon Technologies BF799WH6327XTSA1
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BF799WH6327XTSA1
1211-BF799WH6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-70, SOT-323
大陆
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RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3
1最小包装量--
BF799WH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BF799WH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
280mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
1.1GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BF799
配置
SINGLE
功率耗散
280mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
35mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 20mA 10V
转换频率
1100MHz
频率转换
800MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
3V
噪音数字(分贝类型@ f)
3dB @ 100MHz
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BF799WH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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