BF799WH6327XTSA1
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Infineon Technologies BF799WH6327XTSA1

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型号

BF799WH6327XTSA1

utmel 编号

1211-BF799WH6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3

起订量

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BF799WH6327XTSA1
BF799WH6327XTSA1 Infineon Technologies RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3

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BF799WH6327XTSA1详情

Infineon Technologies BF799WH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    20V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    280mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 频率

    1.1GHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    BF799

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    280mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 无卤素

    无卤素

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    20V

  • 最大集电极电流

    35mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    40 @ 20mA 10V

  • 转换频率

    1100MHz

  • 频率转换

    800MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    3V

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    3dB @ 100MHz

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BF799WH6327XTSA1相似的参数规格。

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BF799WH6327XTSA1拓展信息

BFR106E6327HTSA1
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Infineon Technologies

BFP650H6327XTSA1
BFP650H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFP640H6327XTSA1
BFP640H6327XTSA1

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BFP520H6327XTSA1
BFP520H6327XTSA1

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BFR193WH6327XTSA1
BFR193WH6327XTSA1

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BFS17PE6327HTSA1
BFS17PE6327HTSA1

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BFP460H6327XTSA1
BFP460H6327XTSA1

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BFR380FH6327XTSA1
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BFQ19SH6327XTSA1
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BFP650FH6327XTSA1
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