Infineon Technologies BFN26E6433HTMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

360mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

70MHz

基本部件号

BFN26

配置

SINGLE

功率耗散

360mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 30mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 2mA, 20mA

转换频率

70MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准