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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.398505
10
¥1.319344
100
¥1.244665
500
¥1.174211
1000
¥1.107747
Infineon Technologies BFP405H6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BFP405H6327XTSA1
1211-BFP405H6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-82A, SOT-343
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 4.5V 0.025A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFP405H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BFP405H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-82A, SOT-343
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
4.5V
Current-Collector (Ic) (Max)
25mA
Number of Elements
1
hFEMin
50
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
55mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
25GHz
基本部件号
BFP405
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE
测试频率
1.8GHz
功率耗散
75mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4.5V
最大集电极电流
10mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 5mA 4V
增益
23dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
5V
转换频率
25000MHz
最大击穿电压
5V
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
1.5V
噪音数字(分贝类型@ f)
1.25dB @ 1.8GHz
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFP405H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies









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