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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.332772
10
¥2.200728
100
¥2.076159
500
¥1.95864
1000
¥1.847773
Infineon Technologies BFP540H6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BFP540H6327XTSA1
1211-BFP540H6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-82A, SOT-343
大陆
立即发货

TRANS RF NPN 4.5V 80MA SOT343
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFP540H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BFP540H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-82A, SOT-343
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
4.5V
Number of Elements
1
hFEMin
50
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
30GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BFP540
配置
SINGLE
测试频率
1.8GHz
功率耗散
250mW
箱体转运
EMITTER
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4.5V
最大集电极电流
80mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 20mA 3.5V
增益
16dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
5V
转换频率
30000MHz
最大击穿电压
5V
集电极基极电压(VCBO)
14V
发射极基极电压 (VEBO)
1V
噪音数字(分贝类型@ f)
0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFP540H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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