Infineon Technologies BFP640E6327BTSA1
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BFP640E6327BTSA1
1211-BFP640E6327BTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-82A, SOT-343
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TRANSISTOR NPN SIGE RF SOT-343
1最小包装量--
BFP640E6327BTSA1详情
Infineon Technologies BFP640E6327BTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-82A, SOT-343
供应商器件包装
PG-SOT343-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
4.5V
Current-Collector (Ic) (Max)
50mA
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
200mW
基本部件号
BFP640
功率 - 最大
200mW
晶体管类型
NPN
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
110 @ 30mA 3V
增益
24dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
4.5V
最大击穿电压
4.5V
频率转换
40GHz
噪音数字(分贝类型@ f)
0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
RoHS状态
符合RoHS标准
BFP640E6327BTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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