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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 BFP640E6327BTSA1
BFP640E6327BTSA1
BFP640E6327BTSA1

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Infineon Technologies BFP640E6327BTSA1

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型号

BFP640E6327BTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BFP640E6327BTSA1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

SC-82A, SOT-343

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR NPN SIGE RF SOT-343

起订量

1最小包装量--

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BFP640E6327BTSA1
BFP640E6327BTSA1 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN SIGE RF SOT-343

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BFP640E6327BTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BFP640E6327BTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-82A, SOT-343

  • 供应商器件包装

    PG-SOT343-4

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    4.5V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    50mA

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 基本部件号

    BFP640

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最大集电极电流

    50mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    110 @ 30mA 3V

  • 增益

    24dB

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    4.5V

  • 最大击穿电压

    4.5V

  • 频率转换

    40GHz

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies BFP640E6327BTSA1.

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