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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.24719
10
¥1.176594
100
¥1.109995
500
¥1.047164
1000
¥0.987891
Infineon Technologies BFP720H6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BFP720H6327XTSA1
1211-BFP720H6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-82A, SOT-343
大陆
立即发货

TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V SOT343
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFP720H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BFP720H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-82A, SOT-343
晶体管元件材料
硅锗碳
Collector-Emitter Breakdown Voltage
4.7V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
100mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
45GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BFP720
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE
功率耗散
100mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4V
最大集电极电流
25mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 13mA 3V
增益
10.5dB ~ 28.5dB
转换频率
45000MHz
最大击穿电压
4.7V
集电极基极电压(VCBO)
13V
发射极基极电压 (VEBO)
1.2V
噪音数字(分贝类型@ f)
0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFP720H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









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