Infineon Technologies BG3123E6327HTSA1
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BG3123E6327HTSA1
1211-BG3123E6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A 6-Pin SOT-363 T/R
1最小包装量--
BG3123E6327HTSA1详情
Infineon Technologies BG3123E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
供应商器件包装
PG-SOT363-6
Number of Elements
2
Voltage Rated
8V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
额定电流
25mA 20mA
最大功率耗散
200mW
额定电流
20mA
频率
800MHz
基本部件号
BG3123
测试电流
14mA
晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
连续放电电流(ID)
25mA
增益
25dB
噪声图
1.8dB
电压-测试
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
BG3123E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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