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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 BG3123E6327HTSA1
BG3123E6327HTSA1
BG3123E6327HTSA1

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Infineon Technologies BG3123E6327HTSA1

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型号

BG3123E6327HTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BG3123E6327HTSA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A 6-Pin SOT-363 T/R

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BG3123E6327HTSA1
BG3123E6327HTSA1 Infineon Technologies Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A 6-Pin SOT-363 T/R

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BG3123E6327HTSA1详情

技术参数

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Infineon Technologies BG3123E6327HTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-VSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    PG-SOT363-6

  • Number of Elements

    2

  • Voltage Rated

    8V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 额定电流

    25mA 20mA

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 额定电流

    20mA

  • 频率

    800MHz

  • 基本部件号

    BG3123

  • 测试电流

    14mA

  • 晶体管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 连续放电电流(ID)

    25mA

  • 增益

    25dB

  • 噪声图

    1.8dB

  • 电压-测试

    5V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies BG3123E6327HTSA1.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
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选择时请仔细核对商品参数信息

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