BG 3230 E6327
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Infineon Technologies BG 3230 E6327

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型号

BG 3230 E6327

utmel 编号

1211-BG 3230 E6327

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

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BG 3230 E6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

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BG 3230 E6327详情

Infineon Technologies BG 3230 E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    6-VSSOP, SC-88, SOT-363

  • 表面安装

    YES

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • Voltage Rated

    8V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2005

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 额定电流

    25mA

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    800MHz

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 增益

    24dB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.025A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.2W

  • 噪声图

    1.3dB

  • 电压-测试

    5V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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