Infineon Technologies BSC100N03LSGATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta 44A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 30W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

44A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13A

漏极-源极导通最大电阻

0.0142Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

176A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

10 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

符合RoHS标准