Infineon Technologies BSC750N10NDGATMA1

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

终端形式

FLAT

基本部件号

BSC750N10

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F6

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

26W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 12μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

720pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V

上升时间

4ns

连续放电电流(ID)

13A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏极-源极导通最大电阻

0.075Ohm

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

17 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅