ON Semiconductor FDS6990A
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FDS6990A
1807-FDS6990A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
--最小包装量--
FDS6990A详情
ON Semiconductor FDS6990A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2003
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
18MOhm
附加功能
逻辑电平兼容
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
900mW
终端形式
鸥翼
额定电流
7.5A
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1235pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 5V
上升时间
5ns
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
7.5A
阈值电压
1.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
1.9 V
高度
1.57mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS6990A拓展信息









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