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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.830094
10
¥3.613296
100
¥3.408771
500
¥3.215821
1000
¥3.033794
Infineon Technologies BSO220N03MDGXUMA1
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- 对比
BSO220N03MDGXUMA1
1211-BSO220N03MDGXUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSO220N03MDGXUMA1详情
Infineon Technologies BSO220N03MDGXUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
资历状况
不合格
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 7.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
800pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
上升时间
2.8ns
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSO220N03MDGXUMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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