Infineon Technologies BSP 52 E6327
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BSP 52 E6327
1211-BSP 52 E6327
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
1最小包装量--
BSP 52 E6327详情
Infineon Technologies BSP 52 E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BSP52
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1.5W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Darlington
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
2000 @ 500mA 10V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.8V @ 1mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V
转换频率
200MHz
频率转换
200MHz
最大耗散功率(Abs)
1.5W
关断时间-最大值(toff)
1500ns
接通时间-最大值(ton)
400ns
RoHS状态
符合RoHS标准
BSP 52 E6327拓展信息
Infineon Technologies
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