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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.035502
500
¥0.761401
1000
¥0.634498
2000
¥0.582105
5000
¥0.544026
10000
¥0.506073
15000
¥0.489427
50000
¥0.481253
Infineon Technologies BSS64E6327
- 收藏
- 对比
BSS64E6327
1211-BSS64E6327
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
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¥
总价: ¥
BSS64E6327详情
Infineon Technologies BSS64E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-23
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
800 mA
Transistor Polarity
NPN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
BSS64E6327
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.45
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
功率 - 最大
330 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 4mA, 1V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 400μA, 4mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
转换频率
100
频率转换
100MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.8 A
最小直流增益(hFE)
20
连续集电极电流
800
集电极-发射器电压-最大值
80 V
BSS64E6327拓展信息
Infineon Technologies
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