Infineon Technologies FD1000R33HE3KBPSA1

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

Module

安装类型

底座安装

底架

Screw

引脚数

9

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Current-Collector (Ic) (Max)

1000A

已出版

2002

操作温度

-40°C~150°C

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

9

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

配置

双制动斩波器

元素配置

Dual

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

11500W

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.3kV

最大集电极电流

1kA

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

3300V

接通时间

1150 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.1V @ 15V, 1000A

关断时间-标准值（toff)

3550 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

190nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅