Infineon Technologies FD600R06ME3S2BOSA1
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FD600R06ME3S2BOSA1
1211-FD600R06ME3S2BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE VCES 600V 600A
--最小包装量--
FD600R06ME3S2BOSA1详情
Infineon Technologies FD600R06ME3S2BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
11
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
600A
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
9
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-XUFM-X9
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
2250W
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集极截止电流
400nA
接通时间
275 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.6V @ 15V, 600A
关断时间-标准值(toff)
960 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
60nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
FD600R06ME3S2BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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