注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1013.834271
10
¥956.447425
100
¥902.308893
500
¥851.234802
1000
¥803.0517
Infineon Technologies FF150R17ME3GBOSA1
- 收藏
- 对比
FF150R17ME3GBOSA1
1211-FF150R17ME3GBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT MODULE VCES 1200V 150A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FF150R17ME3GBOSA1详情
Infineon Technologies FF150R17ME3GBOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
PCB, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
11
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
11
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.05kW
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
11
资历状况
不合格
配置
2 Independent
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
1050W
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.7kV
最大集电极电流
240A
最大集极截止电流
3mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
接通时间
366 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 150A
关断时间-标准值(toff)
1300 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
13.5nF @ 25V
高度
17mm
长度
122.1mm
宽度
62mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
FF150R17ME3GBOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。