Infineon Technologies FS50R17KE3B17BOSA1
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FS50R17KE3B17BOSA1
1211-FS50R17KE3B17BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
1最小包装量--
FS50R17KE3B17BOSA1详情
Infineon Technologies FS50R17KE3B17BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
19
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Number of Elements
6
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2002
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
19
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL认证
最大功率耗散
345W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
配置
全桥
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
345W
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.7kV
最大集电极电流
82A
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
接通时间
450 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
1100 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
4.5nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
FS50R17KE3B17BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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