Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 1A, 241 Ω, 15V

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

最大功率耗散

28W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

28W

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

3.2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 1A

闸门收费

8.6nC

集极脉冲电流（Icm）

3.5A

Td（开/关）@25°C

13ns/370ns

开关能量

140μJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant