Infineon Technologies IGW30N60TPXKSA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 10.5 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchStop™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

200W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE

输入类型

Standard

功率 - 最大

200W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.8V

最大集电极电流

53A

接通时间

38 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

279 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

130nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

15ns/179ns

开关能量

710μJ (on), 420μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant