Infineon Technologies IHD10N60RA

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 10A, 23 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchStop®

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

端子表面处理

哑光锡

最大功率耗散

110W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

110W

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

20A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

355 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

62nC

集极脉冲电流（Icm）

30A

Td（开/关）@25°C

-/170ns

开关能量

270μJ

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.7V

RoHS状态

符合RoHS标准