Infineon Technologies IHW15N120E1XKSA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchStop™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

156W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输入类型

Standard

功率 - 最大

156W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

30A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 15A

关断时间-标准值（toff)

1450 ns

IGBT类型

NPT和沟槽

闸门收费

90nC

集极脉冲电流（Icm）

45A

开关能量

300μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant