Infineon Technologies IHW30N110R5XKSA1

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

PG-TO247-3

厂商

Infineon Technologies

Package

Tube

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

60 A

Test Conditions

-

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 25 V

Pd - Power Dissipation

330 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

240

Continuous Collector Current at 25 C

60 A

Mounting Styles

通孔

Part # Aliases

IHW30N110R5 SP005727472

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.1 kV

系列

-

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tube

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

330 W

产品类别

IGBT晶体管

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.85V @ 15V, 30A

IGBT类型

-

闸门收费

240 nC

集极脉冲电流（Icm）

90 A

Td（开/关）@25°C

-/350ns

开关能量

-

产品类别

IGBT晶体管