Infineon Technologies IKD04N60R6EDV1
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IKD04N60R6EDV1
1211-IKD04N60R6EDV1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
1最小包装量--
IKD04N60R6EDV1详情
Infineon Technologies IKD04N60R6EDV1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
PG-TO252-3-313
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
8 A
Test Conditions
400V, 4A, 43Ohm, 15V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
输入类型
Standard
功率 - 最大
75 W
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 4A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
27 nC
集极脉冲电流(Icm)
12 A
Td(开/关)@25°C
14ns/146ns
开关能量
90μJ (on), 150μJ (off)
反向恢复时间(trr)
43 ns
IKD04N60R6EDV1拓展信息
Infineon Technologies
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