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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.589101
10
¥10.933114
100
¥10.314259
500
¥9.730433
1000
¥9.179653
Infineon Technologies IKD04N60RC2ATMA1
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- 对比
IKD04N60RC2ATMA1
1211-IKD04N60RC2ATMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IKD04N60RC2ATMA1
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¥
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IKD04N60RC2ATMA1详情
Infineon Technologies IKD04N60RC2ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
PG-TO252-3
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
8 A
Test Conditions
400V, 4A, 49Ohm, 15V
Base Product Number
IKD04N60
Collector-Emitter Saturation Voltage
2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
36.6 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Continuous Collector Current at 25 C
8 A
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
IKD04N60RC2 SP004542900
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Tradename
TRENCHSTOP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
切割胶带
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
36.6
输入类型
Standard
功率 - 最大
36.6 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 4A
连续集电极电流
8
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
24 nC
集极脉冲电流(Icm)
12 A
Td(开/关)@25°C
4ns/90ns
开关能量
100μJ (on), 40μJ (off)
反向恢复时间(trr)
80 ns
产品类别
IGBT晶体管
IKD04N60RC2ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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