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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.888672
10
¥5.555351
100
¥5.240897
500
¥4.944243
1000
¥4.664379
Infineon Technologies IKD06N60RC2ATMA1
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- 对比
IKD06N60RC2ATMA1
1211-IKD06N60RC2ATMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IKD06N60RC2ATMA1
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¥
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IKD06N60RC2ATMA1详情
Infineon Technologies IKD06N60RC2ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
PG-TO252-3
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
11.7 A
Test Conditions
400V, 6A, 49Ohm, 15V
Base Product Number
IKD06N60
Collector-Emitter Saturation Voltage
2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
51.7 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Continuous Collector Current at 25 C
11.7 A
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
IKD06N60RC2 SP005349953
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Tradename
TRENCHSTOP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
切割胶带
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
51.7
输入类型
Standard
功率 - 最大
51.7 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 6A
连续集电极电流
11.7
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
31 nC
集极脉冲电流(Icm)
18 A
Td(开/关)@25°C
6ns/129ns
开关能量
170μJ (on), 80μJ (off)
反向恢复时间(trr)
98 ns
产品类别
IGBT晶体管
IKD06N60RC2ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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