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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.304788
10
¥5.947914
100
¥5.611239
500
¥5.293622
1000
¥4.993983
Infineon Technologies IKD06N65ET6ARMA1
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- 对比
IKD06N65ET6ARMA1
1211-IKD06N65ET6ARMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IKD06N65ET6ARMA1
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IKD06N65ET6ARMA1详情
Infineon Technologies IKD06N65ET6ARMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
PG-TO252-3
厂商
Infineon Technologies
Product Status
不用于新设计
Current-Collector (Ic) (Max)
9 A
Test Conditions
400V, 3A, 47Ohm, 15V
Base Product Number
IKD06N65
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
31 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Continuous Collector Current at 25 C
9 A
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
IKD06N65ET6 SP004210258
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Continuous Collector Current Ic Max
8 A
Tradename
TRENCHSTOP
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
31
输入类型
Standard
功率 - 最大
31 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 3A
连续集电极电流
9
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
13.7 nC
集极脉冲电流(Icm)
18 A
Td(开/关)@25°C
15ns/35ns
开关能量
60μJ (on), 30μJ (off)
反向恢复时间(trr)
30 ns
产品类别
IGBT晶体管
IKD06N65ET6ARMA1拓展信息
Infineon Technologies
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