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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.441132
10
¥10.79352
100
¥10.182566
500
¥9.606195
1000
¥9.062447
Infineon Technologies IKD08N65ET6ARMA1
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- 对比
IKD08N65ET6ARMA1
1211-IKD08N65ET6ARMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IKD08N65ET6ARMA1
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¥
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IKD08N65ET6ARMA1详情
Infineon Technologies IKD08N65ET6ARMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
PG-TO252-3
厂商
Infineon Technologies
Product Status
不用于新设计
Current-Collector (Ic) (Max)
15 A
Test Conditions
400V, 5A, 47Ohm, 15V
Base Product Number
IKD08N65
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
27.5 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Continuous Collector Current at 25 C
16 A
Mounting Styles
通孔
Part # Aliases
IKD08N65ET6 SP004275470
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Tradename
TRENCHSTOP
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
47
输入类型
Standard
功率 - 最大
47 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 5A
连续集电极电流
15
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
17 nC
集极脉冲电流(Icm)
25 A
Td(开/关)@25°C
20ns/59ns
开关能量
110μJ (on), 40μJ (off)
反向恢复时间(trr)
43 ns
产品类别
IGBT晶体管
IKD08N65ET6ARMA1拓展信息
Infineon Technologies
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