Infineon Technologies IKD10N60RAATMA2

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 10A, 23 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchStop®

已出版

2014

无铅代码

yes

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

150W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

*KD10N60

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

150W

晶体管应用

GENERAL PURPOSE

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

20A

反向恢复时间

62 ns

接通时间

24 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

428 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

64nC

集极脉冲电流（Icm）

30A

Td（开/关）@25°C

14ns/192ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅