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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥20.878499
10
¥19.696697
100
¥18.58179
500
¥17.529991
1000
¥16.537727
Infineon Technologies IKD15N60RFATMA1
- 收藏
- 对比
IKD15N60RFATMA1
1211-IKD15N60RFATMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IKD15N60RFATMA1详情
Infineon Technologies IKD15N60RFATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Test Conditions
400V, 15A, 15 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchStop®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
*KD15N60
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
250W
无卤素
无卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
30A
反向恢复时间
74ns
最大耗散功率(Abs)
250W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 15A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
90nC
集极脉冲电流(Icm)
45A
Td(开/关)@25°C
13ns/160ns
开关能量
270μJ (on), 250μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.7V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IKD15N60RFATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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