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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥47.767777
10
¥45.063941
100
¥42.513151
500
¥40.106747
1000
¥37.836553
Infineon Technologies IKFW60N65ES5XKSA1
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- 对比
IKFW60N65ES5XKSA1
1211-IKFW60N65ES5XKSA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
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IKFW60N65ES5XKSA1
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¥
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IKFW60N65ES5XKSA1详情
Infineon Technologies IKFW60N65ES5XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
PG-HSIP247-3-2
厂商
Infineon Technologies
Package
Tube
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
77 A
Test Conditions
400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Base Product Number
IKFW60
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
138 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
240
Continuous Collector Current at 25 C
77 A
Mounting Styles
通孔
Part # Aliases
IKFW60N65ES5 SP001878206
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Tradename
TRENCHSTOP
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
138
输入类型
Standard
功率 - 最大
138 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.7V @ 15V, 50A
连续集电极电流
77
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
120 nC
集极脉冲电流(Icm)
200 A
Td(开/关)@25°C
20ns/127ns
开关能量
1.23mJ (on), 550μJ (off)
反向恢复时间(trr)
77 ns
产品类别
IGBT晶体管
IKFW60N65ES5XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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