Infineon Technologies IKN01N60RC2ATMA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件包装

PG-SOT223-3

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

2.2 A

Test Conditions

400V, 1A, 49Ohm, 15V

Base Product Number

IKN01N

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Package Type

PG-SOT223-3

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

MSL

MSL 1 - Unlimited

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Pd - Power Dissipation

5.1 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Continuous Collector Current at 25 C

2.2 A

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

IKN01N60RC2 SP005547444

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

包装

MouseReel

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single

功率耗散

5.1W

输入类型

Standard

功率 - 最大

5.1 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 1A

连续集电极电流

2.2A

IGBT类型

-

闸门收费

9 nC

集极脉冲电流（Icm）

3 A

Td（开/关）@25°C

5.6ns/80ns

开关能量

25.1μJ (on), 13.5μJ (off)

反向恢复时间(trr)

59.5 ns

产品类别

IGBT晶体管