Infineon Technologies IKN04N60RC2ATMA1
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IKN04N60RC2ATMA1
1211-IKN04N60RC2ATMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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1最小包装量--
IKN04N60RC2ATMA1详情
Infineon Technologies IKN04N60RC2ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
PG-SOT223-3
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
7.5 A
Test Conditions
400V, 4A, 49Ohm, 15V
Base Product Number
IKN04N
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Package Type
PG-SOT223-3
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Pd - Power Dissipation
6.8 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Continuous Collector Current at 25 C
7.5 A
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
IKN04N60RC2 SP004542906
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
6.8W
输入类型
Standard
功率 - 最大
6.8 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 4A
连续集电极电流
7.5A
IGBT类型
-
闸门收费
24 nC
集极脉冲电流(Icm)
12 A
Td(开/关)@25°C
8ns/126ns
开关能量
95μJ (on), 62μJ (off)
反向恢复时间(trr)
39 ns
产品类别
IGBT晶体管
IKN04N60RC2ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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