Infineon Technologies IKW25N120CS7XKSA1
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IKW25N120CS7XKSA1
1211-IKW25N120CS7XKSA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
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INDUSTRY 14 PG-TO247-3
--最小包装量--
IKW25N120CS7XKSA1详情
Infineon Technologies IKW25N120CS7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
PG-TO247-3
厂商
Infineon Technologies
Package
Tube
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
55 A
Test Conditions
600V, 25A, 6Ohm, 15V
Base Product Number
IKW25N
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
TO-247-3
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65V
Pd - Power Dissipation
250 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
240
Continuous Collector Current at 25 C
55 A
Mounting Styles
通孔
Part # Aliases
IKW25N120CS7 SP005419560
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
引脚数量
3
配置
Single
功率耗散
250W
输入类型
Standard
功率 - 最大
250 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
信道型
N
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 25A
连续集电极电流
55A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
150 nC
集极脉冲电流(Icm)
75 A
Td(开/关)@25°C
21ns/160ns
开关能量
1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
反向恢复时间(trr)
150 ns
产品类别
IGBT晶体管
IKW25N120CS7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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