Infineon Technologies IKW30N65ET7XKSA1
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IKW30N65ET7XKSA1
1211-IKW30N65ET7XKSA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
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IKW30N65ET7XKSA1
1最小包装量--
IKW30N65ET7XKSA1详情
Infineon Technologies IKW30N65ET7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
PG-TO247-3
厂商
Infineon Technologies
Package
Tube
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
30 A
Test Conditions
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Base Product Number
IKW30N65
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35
MSL
-
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
188 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
240
Continuous Collector Current at 25 C
60 A
Mounting Styles
通孔
Part # Aliases
IKW30N65ET7 SP005348289
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Tradename
TRENCHSTOP
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
188
输入类型
Standard
功率 - 最大
188 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.65V @ 15V, 30A
连续集电极电流
60
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
180 nC
集极脉冲电流(Icm)
90 A
Td(开/关)@25°C
20ns/245ns
开关能量
590μJ (on), 500μJ (off)
反向恢复时间(trr)
80 ns
产品类别
IGBT晶体管
IKW30N65ET7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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