Infineon Technologies IKY75N120CH3XKSA1
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IKY75N120CH3XKSA1
1211-IKY75N120CH3XKSA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-4
大陆
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In a Tube of 30, Infineon IKY75N120CH3XKSA1 P-Channel IGBT, 150 A 1200 V, 4-Pin TO-247
--最小包装量--
IKY75N120CH3XKSA1详情
Infineon Technologies IKY75N120CH3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-4
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
150A
Number of Elements
1
Test Conditions
600V, 75A, 6 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
输入类型
Standard
功率 - 最大
938W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
反向恢复时间
292ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
73 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.35V @ 15V, 75A
关断时间-标准值(toff)
468 ns
闸门收费
370nC
集极脉冲电流(Icm)
300A
Td(开/关)@25°C
38ns/303ns
开关能量
3.4mJ (on), 2.9mJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IKY75N120CH3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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