Infineon Technologies IKZ75N65EL5XKSA1

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-247-4

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

SwitchingFrequency

50Hz

Test Conditions

400V, 75A, 23 Ω, 15V

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

包装

Tube

系列

TrenchStop™ 5

已出版

2013

操作温度

-40°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

536W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

536W

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

59 ns

接通时间

133 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.35V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

474 ns

闸门收费

436nC

集极脉冲电流（Icm）

300A

Td（开/关）@25°C

120ns/275ns

开关能量

1.57mJ (on), 3.2mJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅