Infineon Technologies IPD50N04S308ATMA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

68W Tc

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

68W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 40μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

50A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

漏极-源极导通最大电阻

0.0075Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅