Infineon Technologies IPD50R650CEAUMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3

引脚数

3

质量

3.949996g

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

27 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

47W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

47W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

500V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

6.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

500V

输入电容

342pF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

650mOhm

最大rds

650 mΩ

RoHS状态

ROHS3 Compliant