Infineon Technologies IPG16N10S461ATMA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

5 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

29W

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3 ns

功率 - 最大

29W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

61m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 9μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

490pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7nC @ 10V

上升时间

1ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏极-源极导通最大电阻

0.061Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64A

雪崩能量等级（Eas）

33 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

20 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅