Infineon Technologies IPG20N06S4L11AATMA1

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-PowerVDFN

安装类型

Surface Mount, Wettable Flank

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

已出版

2012

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

65W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.2m Ω @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 28μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4020pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

53nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

20A

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.0112Ohm

雪崩能量等级（Eas）

165 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅